IPW65R041CFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPW65R041CFD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPW65R041CFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW65R041CFD даташит

 ..1. Size:1095K  infineon
 ipw65r041cfd.pdf pdf_icon

IPW65R041CFD

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CFD2 650V 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPW65R041CFD Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPW65R041CFD TO-247 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipw65r041cfd.pdf pdf_icon

IPW65R041CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW65R041CFD IIPW65R041CFD FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 41m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS

 6.1. Size:1960K  infineon
 ipw65r045c7.pdf pdf_icon

IPW65R041CFD

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPW65R045C7 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPW65R045C7 TO-247 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pion

 6.2. Size:870K  infineon
 ipw65r048cfda.pdf pdf_icon

IPW65R041CFD

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CFDA Automotive 650V CoolMOS CFDA Power Transistor IPW65R048CFDA Data Sheet Rev. 2.0 Final Automotive 650V CoolMOS CFDA Power Transistor IPW65R048CFDA TO-247 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPW65R110CFDA, IPW65R110CFD, IPW65R099C6, IPW65R095C7, IPW65R080CFDA, IPW65R065C7, IPW65R048CFDA, IPW65R045C7, IRF640N, IPW65R037C6, IPW65R019C7, IPW60R330P6, IPW60R280P6, IPW60R230P6, IPW60R190P6, IPW60R180C7, IPW60R160P6