IPU60R1K5CE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPU60R1K5CE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IPU60R1K5CE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU60R1K5CE даташит

 ..1. Size:2307K  infineon
 ipd60r1k5ce ipu60r1k5ce.pdf pdf_icon

IPU60R1K5CE

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 600V CoolMOS CE Power Transistor IPx60R1K5CE Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS CE Power Transistor IPD60R1K5CE, IPU60R1K5CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunctio

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 ipu60r1k5ce.pdf pdf_icon

IPU60R1K5CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU60R1K5CE FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:2314K  infineon
 ipd60r1k0ce ipu60r1k0ce.pdf pdf_icon

IPU60R1K5CE

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 600V CoolMOS CE Power Transistor IPx60R1K0CE Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS CE Power Transistor IPD60R1K0CE, IPU60R1K0CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunctio

 6.2. Size:1053K  infineon
 ipu60r1k4c6.pdf pdf_icon

IPU60R1K5CE

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPU60R1K4C6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPU60R1K4C6 IPAK 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneer

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPW50R190CE, IPU80R2K8CE, IPU80R1K4CE, IPU80R1K0CE, IPU60R950C6, IPU60R600C6, IPU60R2K1CE, IPU60R2K0C6, SPP20N60C3, IPU60R1K4C6, IPU60R1K0CE, IPU50R950CE, IPU50R3K0CE, IPU50R2K0CE, IPU50R1K4CE, IPU13N03LAG, IPU06N03LAG