Справочник MOSFET. IPU60R1K5CE

 

IPU60R1K5CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU60R1K5CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU60R1K5CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2307K  infineon
ipd60r1k5ce ipu60r1k5ce.pdfpdf_icon

IPU60R1K5CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE600V CoolMOS CE Power TransistorIPx60R1K5CEData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS CE Power TransistorIPD60R1K5CE, IPU60R1K5CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
ipu60r1k5ce.pdfpdf_icon

IPU60R1K5CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU60R1K5CEFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:2314K  infineon
ipd60r1k0ce ipu60r1k0ce.pdfpdf_icon

IPU60R1K5CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE600V CoolMOS CE Power TransistorIPx60R1K0CEData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS CE Power TransistorIPD60R1K0CE, IPU60R1K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

 6.2. Size:1053K  infineon
ipu60r1k4c6.pdfpdf_icon

IPU60R1K5CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPU60R1K4C6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS C6 Power TransistorIPU60R1K4C6IPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneer

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRF9620 | BF964S | TSM3454CX6 | BSC032N03SG | NTHL082N65S3F | SL2026 | 2SK1186

 

 
Back to Top

 


 
.