IPU50R3K0CE. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPU50R3K0CE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для IPU50R3K0CE
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPU50R3K0CE даташит
ipd50r3k0ce ipu50r3k0ce.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R3K0CE Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPD50R3K0CE, IPU50R3K0CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunctio
ipu50r3k0ce.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPU50R3K0CE FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE
ipd50r1k4ce ipu50r1k4ce 50s1k4ce.pdf
IPD50R1K4CE, IPU50R1K4CE MOSFET DPAK IPAK 500V CoolMOS CE Power Transistor tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and 2 pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 1 1 2 3 3 price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer an
ipd50r2k0ce ipu50r2k0ce.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R2K0CE Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPD50R2K0CE, IPU50R2K0CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunctio
Другие IGBT... IPU60R950C6, IPU60R600C6, IPU60R2K1CE, IPU60R2K0C6, IPU60R1K5CE, IPU60R1K4C6, IPU60R1K0CE, IPU50R950CE, AON7410, IPU50R2K0CE, IPU50R1K4CE, IPU13N03LAG, IPU06N03LAG, IPT059N15N3, IPT020N10N3, IPT015N10N5, IPT012N08N5
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement





