Справочник MOSFET. IPT015N10N5

 

IPT015N10N5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPT015N10N5
   Маркировка: 015N10N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 300 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 169 nC
   Время нарастания (tr): 30 ns
   Выходная емкость (Cd): 1800 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-1

 Аналог (замена) для IPT015N10N5

 

 

IPT015N10N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  infineon
ipt015n10n5.pdf

IPT015N10N5 IPT015N10N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resis

 9.1. Size:1178K  infineon
ipt012n08n5.pdf

IPT015N10N5 IPT015N10N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista

 9.2. Size:674K  infineon
ipt019n08n5.pdf

IPT015N10N5 IPT015N10N5

IPT019N08N5MOSFETHSOFOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 2345 100% avalanche tested678 Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product vali

 9.3. Size:634K  infineon
ipt012n06n.pdf

IPT015N10N5 IPT015N10N5

IPT012N06NMOSFETHSOFOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VFeaturesTab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel1 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2345 Pb-free lead plating; RoHS compliant678 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applica

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top