IPP65R095C7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPP65R095C7
Маркировка: 65C7095
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP65R095C7
IPP65R095C7 Datasheet (PDF)
ipp65r095c7.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R095C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R095C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
ipp65r095c7.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R095C7IIPP65R095C7FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.095Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching super junction MOSFEToffering better efficiency,re
ipa65r099c6 ipb65r099c6 ipi65r099c6 ipp65r099c6 ipw65r099c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPx65R099C6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPW65R099C6, IPB65R099C6, IPP65R099C6IPA65R099C6, IPI65R099C6TO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs
ipw65r099c6 ipb65r099c6 ipp65r099c6 ipa65r099c6 ipi65r099c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPx65R099C6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPW65R099C6, IPB65R099C6, IPP65R099C6IPA65R099C6, IPI65R099C6TO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs
ipp65r099c6.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R099C6IIPP65R099C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.099Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSO
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918