IPP65R065C7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPP65R065C7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 171 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPP65R065C7 Datasheet (PDF)
ipp65r065c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R065C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R065C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
ipp65r065c7.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R065C7IIPP65R065C7FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.065Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching super junction MOSFEToffering better efficiency,re
ipp65r074c6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPP65R074C6Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPP65R074C6TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpion
ipp65r045c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R045C7Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R045C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KX6N70 | CHM1503YJGP
History: KX6N70 | CHM1503YJGP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964