Справочник MOSFET. IPP65R045C7

 

IPP65R045C7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP65R045C7
   Маркировка: 65C7045
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 93 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IPP65R045C7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP65R045C7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1617K  infineon
ipp65r045c7.pdfpdf_icon

IPP65R045C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R045C7Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R045C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
ipp65r045c7.pdfpdf_icon

IPP65R045C7

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R045C7IIPP65R045C7FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.045Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching super junction MOSFEToffering better efficiency,re

 7.1. Size:1623K  infineon
ipp65r065c7.pdfpdf_icon

IPP65R045C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R065C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPP65R065C7TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.2. Size:1067K  infineon
ipp65r074c6.pdfpdf_icon

IPP65R045C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPP65R074C6Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPP65R074C6TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpion

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.