Справочник MOSFET. IPP50R500CE

 

IPP50R500CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP50R500CE
   Маркировка: 5R500CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP50R500CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1484K  infineon
ipp50r500ce.pdfpdf_icon

IPP50R500CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R500CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPP50R500CETO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
ipp50r500ce.pdfpdf_icon

IPP50R500CE

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP50R500CEFEATURESWith low gate drive requirementsVery high commutation ruggednessExtremely high frequency operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLCD&PDP TVPC silverboxUPS and solarABS

 7.1. Size:551K  infineon
ipp50r520cp.pdfpdf_icon

IPP50R500CE

IPP50R520CP# %?88,

 7.2. Size:245K  inchange semiconductor
ipp50r520cp.pdfpdf_icon

IPP50R500CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP50R520CPIIPP50R520CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.52Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие MOSFET... IPP60R190P6 , IPP60R180C7 , IPP60R160P6 , IPP60R125P6 , IPP60R099P6 , IPP60R099C7 , IPP60R074C6 , IPP60R040C7 , BS170 , IPP50R280CE , IPP50R190CE , IPP410N30N , IPP25N06S3-25 , IPP220N25NFD , IPP14N03LA , IPP147N03L , IPP120N20NFD .

 

 
Back to Top

 


 
.