IRFP3415PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFP3415PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 200 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 640 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для IRFP3415PBF
IRFP3415PBF Datasheet (PDF)
irfp3415pbf.pdf
PD - 95512IRFP3415PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.042Gl Lead-FreeID = 43ASDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resi
irfp3415pbf.pdf
PD - 95512IRFP3415PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.042Gl Lead-FreeID = 43ASDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resi
irfp3415.pdf
PD - 93962IRFP3415HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.042 Fully Avalanche RatedGDescription ID = 43ASFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance persilicon a
irfp3415.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3415IIRFP3415FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)42mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
irfp341r.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP341R FEATURES Drain Current ID= 11A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 350V(Min) Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.55(Max) Fast Switching DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
