Справочник MOSFET. IPL65R725CFD

 

IPL65R725CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPL65R725CFD
   Маркировка: 65F6725
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.725 Ohm
   Тип корпуса: THINPAK8X8
 

 Аналог (замена) для IPL65R725CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R725CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1772K  infineon
 ipl65r725cfd.pdf pdf_icon

IPL65R725CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R725CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R725CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

 8.1. Size:1801K  infineon
 ipl65r460cfd.pdf pdf_icon

IPL65R725CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

 8.2. Size:1796K  infineon
 ipl65r070c7.pdf pdf_icon

IPL65R725CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 8.3. Size:1322K  infineon
 ipl65r1k0c6s.pdf pdf_icon

IPL65R725CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP351R , IRFP352R , IRFP353R , IRFP354PBF , IRFP360PBF , IRFP362 , IRFP3703PBF , IRFP3710PBF , IRLZ44N , IPL65R660E6 , IPL65R650C6S , IPL65R460CFD , IPL65R420E6 , IPL65R340CFD , IPL65R310E6 , IPL65R230C7 , IPL65R210CFD .

History: NCE4614C | SIHP11N80E | NDT3055L | FS30KMJ-06F | 4N80 | IRFS3107

 

 
Back to Top

 


 
.