IPL65R660E6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPL65R660E6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm

Тип корпуса: THINPAK8X8

Аналог (замена) для IPL65R660E6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R660E6 даташит

 ..1. Size:1593K  infineon
ipl65r660e6.pdfpdf_icon

IPL65R660E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS ThinkPAK 8x8 650V CoolMOS E6 Power Transistor IPL65R660E6 Data Sheet Rev. 2.1 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS E6 Power Transistor IPL65R660E6 ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle

 7.1. Size:1363K  infineon
ipl65r650c6s.pdfpdf_icon

IPL65R660E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPL65R650C6S Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPL65R650C6S ThinPAK 5x6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

 8.1. Size:1801K  infineon
ipl65r460cfd.pdfpdf_icon

IPL65R660E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CFD2 650V Thinpak 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPL65R460CFD Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPL65R460CFD ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

 8.2. Size:1796K  infineon
ipl65r070c7.pdfpdf_icon

IPL65R660E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPL65R070C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPL65R070C7 ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

Другие IGBT... IRFP352R, IRFP353R, IRFP354PBF, IRFP360PBF, IRFP362, IRFP3703PBF, IRFP3710PBF, IPL65R725CFD, IRF530, IPL65R650C6S, IPL65R460CFD, IPL65R420E6, IPL65R340CFD, IPL65R310E6, IPL65R230C7, IPL65R210CFD, IPL65R1K5C6S