Справочник MOSFET. IPL65R660E6

 

IPL65R660E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPL65R660E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm
   Тип корпуса: THINPAK8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R660E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1593K  infineon
 ipl65r660e6.pdf pdf_icon

IPL65R660E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS ThinkPAK 8x8650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R660E6Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R660E6ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle

 7.1. Size:1363K  infineon
 ipl65r650c6s.pdf pdf_icon

IPL65R660E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R650C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R650C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

 8.1. Size:1801K  infineon
 ipl65r460cfd.pdf pdf_icon

IPL65R660E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

 8.2. Size:1796K  infineon
 ipl65r070c7.pdf pdf_icon

IPL65R660E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.