Справочник MOSFET. IPL65R099C7

 

IPL65R099C7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPL65R099C7
   Маркировка: 65C7099
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: THINPAK8X8
 

 Аналог (замена) для IPL65R099C7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R099C7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1748K  infineon
 ipl65r099c7.pdf pdf_icon

IPL65R099C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R099C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R099C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.1. Size:1796K  infineon
 ipl65r070c7.pdf pdf_icon

IPL65R099C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 8.1. Size:1801K  infineon
 ipl65r460cfd.pdf pdf_icon

IPL65R099C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

 8.2. Size:1772K  infineon
 ipl65r725cfd.pdf pdf_icon

IPL65R099C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R725CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R725CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPL65R230C7 , IPL65R210CFD , IPL65R1K5C6S , IPL65R1K0C6S , IPL65R195C7 , IPL65R190E6 , IPL65R165CFD , IPL65R130C7 , 13N50 , IPL65R070C7 , IPL60R650P6S , IPL60R360P6S , IPL60R2K1C6S , IPL60R255P6 , IPL60R210P6 , IPL60R1K5C6S , IPL60R180P6 .

History: IPI90N04S4-02 | VBZQA50P03 | IRFR120A | 2N7002KT | IPP039N04LG | ALD1116DA | SSW65R190S2

 

 
Back to Top

 


 
.