IRFP441 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFP441
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 154 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO3P
IRFP441 Datasheet (PDF)
irfp4410zpbf.pdf
PD - 97309AIRFP4410ZPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.l Uninterruptible Power Supply 7.2m:l High Speed Power Switching max. 9.0m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Silicon Limited)97ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtDDRuggednessl Fully Characterized Cap
irfp4410z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4410ZIIRFP4410ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9.0mEnhancement mode:Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power Supply
irfp441r.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP441RFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.85(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
