IPD65R660CFDA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD65R660CFDA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IPD65R660CFDA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD65R660CFDA даташит

 ..1. Size:1385K  infineon
 ipd65r660cfda.pdf pdf_icon

IPD65R660CFDA

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CFDA Automotive 650V CoolMOS CFDA Power Transistor IPD65R660CFDA Data Sheet Rev. 2.1 Final Automotive 650V CoolMOS CFDA Power Transistor IPD65R660CFDA DPAK 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power tab MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered

 2.1. Size:4455K  infineon
 ipw65r660cfd ipb65r660cfd ipi65r660cfd ipa65r660cfd ipp65r660cfd ipd65r660cfd.pdf pdf_icon

IPD65R660CFDA

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CFD2 650V 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPx65R660CFD Data Sheet Rev. 2.4 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPW65R660CFD, IPB65R660CFD, IPP65R660CFD IPA65R660CFD, IPD65R660CFD, IPI65R660CFD TO-247 D PAK TO-220 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for hi

 2.2. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd65r660cfd.pdf pdf_icon

IPD65R660CFDA

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R660CFD,IIPD65R660CFD FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.66 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High commutation ruggedness ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

 7.1. Size:2158K  infineon
 ipd65r600c6 ipi65r600c6 ipb65r600c6 ipp65r600c6 ipa65r600c6.pdf pdf_icon

IPD65R660CFDA

MOSFET + =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R600C6 1 Descripti n !GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J + - 1$#2K

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPF050N03LG, IPDH6N03LAG, IPDH4N03LAG, IPD80R2K8CE, IPD80R1K4CE, IPD80R1K0CE, IPD65R950CFD, IPD65R950C6, IRF740, IPD65R420CFDA, IPD65R420CFD, IPD65R250E6, IPD65R250C6, IPD65R225C7, IPD65R1K4CFD, IPD65R1K4C6, IPD65R190C7