Справочник MOSFET. IPD50R950CE

 

IPD50R950CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50R950CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD50R950CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50R950CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2499K  infineon
 ipd50r950ce ipu50r950ce.pdf pdf_icon

IPD50R950CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R950CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R950CE, IPU50R950CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd50r950ce.pdf pdf_icon

IPD50R950CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD50R950CE,IIPD50R950CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 8.1. Size:1624K  1
 ipd50r1k4ce ipu50r1k4ce 50s1k4ce.pdf pdf_icon

IPD50R950CE

IPD50R1K4CE, IPU50R1K4CEMOSFETDPAK IPAK500V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 11233price-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer an

 8.2. Size:2508K  infineon
 ipd50r2k0ce ipu50r2k0ce.pdf pdf_icon

IPD50R950CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R2K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R2K0CE, IPU50R2K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD60R600P6 , IPD60R460CE , IPD60R400CE , IPD60R380P6 , IPD60R380E6 , IPD60R2K1CE , IPD60R1K5CE , IPD60R1K0CE , IRFP250N , IPD50R800CE , IPD50R650CE , IPD50R500CE , IPD50R3K0CE , IPD50R380CE , IPD50R2K0CE , IPD50R280CE , IPD50R1K4CE .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | SI1488DH | CHM5813ESQ2GP | RQ6E035AT

 

 
Back to Top

 


 
.