Справочник MOSFET. IPD50R800CE

 

IPD50R800CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50R800CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD50R800CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50R800CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  infineon
 ipd50r800ce.pdf pdf_icon

IPD50R800CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R800CEData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R800CEDPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd50r800ce.pdf pdf_icon

IPD50R800CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD50R800CE,IIPD50R800CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)800mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSS

 8.1. Size:1624K  1
 ipd50r1k4ce ipu50r1k4ce 50s1k4ce.pdf pdf_icon

IPD50R800CE

IPD50R1K4CE, IPU50R1K4CEMOSFETDPAK IPAK500V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 11233price-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer an

 8.2. Size:2508K  infineon
 ipd50r2k0ce ipu50r2k0ce.pdf pdf_icon

IPD50R800CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R2K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R2K0CE, IPU50R2K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD60R460CE , IPD60R400CE , IPD60R380P6 , IPD60R380E6 , IPD60R2K1CE , IPD60R1K5CE , IPD60R1K0CE , IPD50R950CE , IRF9540 , IPD50R650CE , IPD50R500CE , IPD50R3K0CE , IPD50R380CE , IPD50R2K0CE , IPD50R280CE , IPD50R1K4CE , IPD13N03LAG .

History: AP2864I-A-HF | PH1330AL | IXTH75N10L2 | RJU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.