Справочник MOSFET. IPD090N03L

 

IPD090N03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD090N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD090N03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD090N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  infineon
ipd090n03l.pdfpdf_icon

IPD090N03L

TypeIPD090N03L G E8177 OptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Aval

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
ipd090n03l.pdfpdf_icon

IPD090N03L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD090N03L, IIPD090N03LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Ga

 0.1. Size:538K  1
ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdfpdf_icon

IPD090N03L

Type IPD090N03L G IPF090N03L GIPS090N03L G IPU090N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 0.2. Size:1332K  infineon
ipd090n03lg6.pdfpdf_icon

IPD090N03L

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD R 3DE DH;E5:;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m xR ) BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD 4 D1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ( 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ) ' D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 C3E76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@E

Другие MOSFET... IPD50R500CE , IPD50R3K0CE , IPD50R380CE , IPD50R2K0CE , IPD50R280CE , IPD50R1K4CE , IPD13N03LAG , IPD135N03L , K4145 , IPD075N03L , IPD06N03LBG , IPD060N03L , IPD053N06N , IPD050N03L , IPD04N03LBG , IPD040N03L , IPD03N03LAG .

History: BLF645 | TSJ10N10AT | BUK9535-100A | RTR040N03TL | AP9973GP | ME60N04

 

 
Back to Top

 


 
.