Справочник MOSFET. IPB034N03L

 

IPB034N03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB034N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IPB034N03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB034N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:723K  infineon
ipb034n03l ipp034n03l.pdfpdf_icon

IPB034N03L

Type IPP034N03L GIPB034N03L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.4mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
ipb034n03l .pdfpdf_icon

IPB034N03L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB034N03LDESCRIPTIONDrain Current :I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSY

 ..3. Size:243K  inchange semiconductor
ipb034n03l.pdfpdf_icon

IPB034N03L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB034N03LDESCRIPTIONDrain Current :I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSY

 0.1. Size:725K  infineon
ipp034n03lg ipb034n03lg.pdfpdf_icon

IPB034N03L

Type IPP034N03L GIPB034N03L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.4mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

Другие MOSFET... IPB04N03LAT , IPB04N03LA , IPB04CN10NG , IPB049N08N5 , IPB042N10N3GE8187 , IPB042N03L , IPB03N03LBG , IPB039N10N3GE8187 , MMD60R360PRH , IPB031N08N5 , IPB029N06N3GE8187 , IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 , IPB020N10N5 , IPB020N08N5 , IPB017N10N5 .

History: CJP10N65 | AOI600A60 | 5N65G-TN3-R | FDMA86108LZ

 

 
Back to Top

 


 
.