2N7272H2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N7272H2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 max ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для 2N7272H2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7272H2 даташит

 7.1. Size:100K  1
 2n7272h 2n7272d 2n7272r.pdf pdf_icon

2N7272H2

 8.1. Size:45K  intersil
 jansr2n7272.pdf pdf_icon

2N7272H2

JANSR2N7272 Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECOND GENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dose nel and P-Channel enhancement types with ratings from 100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as - Meets Pre

 8.2. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7272H2

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N7271H4, 2N7271R, 2N7271R1, 2N7271R2, 2N7271R3, 2N7271R4, 2N7272H, 2N7272H1, 60N06, 2N7272H3, 2N7272H4, 2N7272R, 2N7272R1, 2N7272R2, 2N7272R3, 2N7272R4, 2N7275D