IPA65R095C7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA65R095C7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для IPA65R095C7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA65R095C7 даташит

 ..1. Size:1681K  infineon
 ipa65r095c7.pdf pdf_icon

IPA65R095C7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R095C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R095C7 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa65r095c7.pdf pdf_icon

IPA65R095C7

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R095C7 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

 6.1. Size:3785K  infineon
 ipa65r099c6 ipb65r099c6 ipi65r099c6 ipp65r099c6 ipw65r099c6.pdf pdf_icon

IPA65R095C7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPx65R099C6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPW65R099C6, IPB65R099C6, IPP65R099C6 IPA65R099C6, IPI65R099C6 TO-247 D PAK TO-220 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs

 6.2. Size:3828K  infineon
 ipw65r099c6 ipb65r099c6 ipp65r099c6 ipa65r099c6 ipi65r099c6.pdf pdf_icon

IPA65R095C7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPx65R099C6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPW65R099C6, IPB65R099C6, IPP65R099C6 IPA65R099C6, IPI65R099C6 TO-247 D PAK TO-220 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPA65R190E6, IPA65R190CFD, IPA65R190C7, IPA65R190C6, IPA65R150CFD, IPA65R125C7, IPA65R110CFD, IPA65R099C6, 7N65, IPA65R065C7, IPA65R045C7, IPA60R800CE, IPA60R650CE, IPA60R600P6, IPA60R460CE, IPA60R400CE, IPA60R380P6