IPA65R045C7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA65R045C7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для IPA65R045C7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA65R045C7 даташит

 ..1. Size:1713K  infineon
ipa65r045c7.pdfpdf_icon

IPA65R045C7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R045C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R045C7 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
ipa65r045c7.pdfpdf_icon

IPA65R045C7

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R045C7 FEATURES With To-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 7.1. Size:1681K  infineon
ipa65r095c7.pdfpdf_icon

IPA65R045C7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R095C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R095C7 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p

 7.2. Size:1717K  infineon
ipa65r065c7.pdfpdf_icon

IPA65R045C7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R065C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R065C7 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p

Другие IGBT... IPA65R190C7, IPA65R190C6, IPA65R150CFD, IPA65R125C7, IPA65R110CFD, IPA65R099C6, IPA65R095C7, IPA65R065C7, IRF630, IPA60R800CE, IPA60R650CE, IPA60R600P6, IPA60R460CE, IPA60R400CE, IPA60R380P6, IPA60R330P6, IPA60R280P6