IPA65R045C7. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPA65R045C7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для IPA65R045C7
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPA65R045C7 даташит
ipa65r045c7.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R045C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R045C7 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p
ipa65r045c7.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R045C7 FEATURES With To-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
ipa65r095c7.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R095C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R095C7 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p
ipa65r065c7.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R065C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPA65R065C7 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p
Другие IGBT... IPA65R190C7, IPA65R190C6, IPA65R150CFD, IPA65R125C7, IPA65R110CFD, IPA65R099C6, IPA65R095C7, IPA65R065C7, IRF630, IPA60R800CE, IPA60R650CE, IPA60R600P6, IPA60R460CE, IPA60R400CE, IPA60R380P6, IPA60R330P6, IPA60R280P6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet





