Справочник MOSFET. IRFP9131

 

IRFP9131 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP9131
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IRFP9131

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP9131 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9131

 7.2. Size:520K  samsung
 irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9131

 8.1. Size:142K  international rectifier
 irfp9140n.pdf pdf_icon

IRFP9131

PD - 9.1492AIRFP9140NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -100V 175C Operating Temperature P-ChannelRDS(on) = 0.117 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = -23ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistanc

 8.2. Size:165K  international rectifier
 irfp9140.pdf pdf_icon

IRFP9131

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP451 , IRFP452 , IRFP453 , IRFP460 , IRFP460A , IRFP460LC , IRFP470 , IRFP9130 , STP80NF70 , IRFP9132 , IRFP9133 , IRFP9140 , IRFP9140N , IRFP9141 , IRFP9142 , IRFP9143 , IRFP9150 .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.