FCB11N60FTM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCB11N60FTM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 671 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FCB11N60FTM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB11N60FTM даташит

 ..1. Size:967K  fairchild semi
 fcb11n60ftm.pdf pdf_icon

FCB11N60FTM

December 2008 TM SuperFET FCB11N60F 600V N-Channel MOSFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Fairchild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.32 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Fast Recovery Type ( trr = 120ns ) lower gate charge performance.

 6.1. Size:971K  fairchild semi
 fcb11n60tm.pdf pdf_icon

FCB11N60FTM

July 2005 TM SuperFET FCB11N60 600V N-Channel MOSFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Farichild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.32 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg = 40nC) lower gate charge performance. Low

 6.2. Size:924K  fairchild semi
 fcb11n60.pdf pdf_icon

FCB11N60FTM

 9.1. Size:695K  fairchild semi
 fcb110n65f.pdf pdf_icon

FCB11N60FTM

April 2015 FCB110N65F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650 V, 35 A, 110 m Features Description 700 V @TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 96 m (Typ.) charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 98 nC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFP7718PBF, FCA16N60, FCA16N60F109, FCA20N60FS, FCA20N60S, FCA20N60SF109, FCAB2126, FCB110N65F, IRF640, FCB11N60TM, FCB20N60FTM, FCB20N60TM, FCB290N80, FCB36N60NTM, FCD2250N80Z, FCD3400N80Z, FCD4N60TF