FDB6690S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDB6690S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
Аналог (замена) для FDB6690S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDB6690S даташит
fdb6690s.pdf
SEPTEMBER 2001 FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 21 A, 30 V. RDS(ON) = 15.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC DC RDS(ON) = 23.0 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing
fdb6670as.pdf
May 2008 FDP6670AS/FDB6670AS tm 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 31 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC DC RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a
fdp6670al fdb6670al.pdf
May 2003 FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critical DC elect
Другие IGBT... FDB3672, FDB42AN15A0, FDB44N25TM, FDB52N20TM, FDB5645, FDB5800F085, FDB6021P, FDB6670AS, 4N60, FDB7030LL86Z, FDB8132, FDB8160, FDB8444TS, FDB86563F085, FDB8874, FDB8876, FDB8878
History: FDB8876
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a | g011n04



