FDB8132 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDB8132
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
Аналог (замена) для FDB8132
FDB8132 Datasheet (PDF)
fdb8132 f085.pdf
October 2014FDB8132_F085N-Channel PowerTrench MOSFETDD30 V, 110 A, 1.6 m Features Typ RDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 244nC at VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability GS RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchildwebsiteathttps://www.fairchi
fdb8132.pdf
February 2011FDB8132_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.6m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.4m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 209nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Typ Qg(10) = 269nC at VGS = 13V Electronic Power Steering Systems Low Miller Charge DC/DC converter Low Qrr Body Diode UIS Capability (Single Pu
fdb8160.pdf
October 2010FDB8160_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali
fdb8160 f085.pdf
October 2010FDB8160_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(10) = 187nC at VGS = 10V Starter/Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode DC/DC converter UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Quali
Другие MOSFET... FDB44N25TM , FDB52N20TM , FDB5645 , FDB5800F085 , FDB6021P , FDB6670AS , FDB6690S , FDB7030LL86Z , IRF1407 , FDB8160 , FDB8444TS , FDB86563F085 , FDB8874 , FDB8876 , FDB8878 , FDBL0110N60 , FDBL0150N60 .
History: IPW60R125P6 | RQ1E050RPTR
History: IPW60R125P6 | RQ1E050RPTR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640





