Справочник MOSFET. FDC697P

 

FDC697P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDC697P
   Маркировка: ..697
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 544 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC697P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  fairchild semi
 fdc697p fdc697p f077.pdf pdf_icon

FDC697P

January 2004 FDC697P P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 8 A, 20 V RDS(ON) = 20 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage Power TrenchRDS(ON) = 25 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 35 m @ VGS = 1.8 V management applications.

 ..2. Size:159K  fairchild semi
 fdc697p.pdf pdf_icon

FDC697P

January 2004 FDC697P P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 8 A, 20 V RDS(ON) = 20 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage Power TrenchRDS(ON) = 25 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 35 m @ VGS = 1.8 V management applications.

 9.1. Size:161K  fairchild semi
 fdc699p fdc699p f077.pdf pdf_icon

FDC697P

January 2004 FDC699P P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 7 A, 20 V RDS(ON) = 22 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 30 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of g

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDZ208P | XP151A13A0MR-G | CS7N60CF | IPB010N06N

 

 
Back to Top

 


 
.