IRFPC50A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFPC50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для IRFPC50A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFPC50A даташит
irfpc50a.pdf
PD- 91898 SMPS MOSFET IRFPC50A HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 600V 0.58 11A High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
irfpc50apbf.pdf
IRFPC50A, SiHFPC50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.58 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 70 Ruggedness Qgs (nC) 19 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 28 and Current Configur
irfpc50a sihfpc50a.pdf
IRFPC50A, SiHFPC50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.58 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 70 Ruggedness Qgs (nC) 19 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 28 and Current Configur
irfpc50lc.pdf
PD - 9.1233 IRFPC50LC HEXFET Power MOSFET Ultra Low Gate Charge Reduced Gate Drive Requirement VDSS = 600V Enhanced 30V Vgs Rating Reduced Ciss, Coss, Crss RDS(on) = 0.60 Isolated Central Mounting Hole Dynamic dv/dt Rated Repetitive Avalanche Rated ID = 11A Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional
Другие IGBT... IRFP9240, IRFP9241, IRFP9242, IRFP9243, IRFPC30, IRFPC40, IRFPC48, IRFPC50, IRFZ46N, IRFPC50LC, IRFPC60, IRFPC60LC, IRFPE30, IRFPE40, IRFPE50, IRFPF30, IRFPF40
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220










