FDFS2P103A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDFS2P103A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDFS2P103A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDFS2P103A даташит

 ..1. Size:142K  fairchild semi
 fdfs2p103a.pdf pdf_icon

FDFS2P103A

August 2002 FDFS2P103A Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P103A combines the exceptional 5.3 A, 30V RDS(ON) = 59 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 92 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier

 5.1. Size:292K  fairchild semi
 fdfs2p103.pdf pdf_icon

FDFS2P103A

September 2001 FDFS2P103 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P103 combines the exceptional 5.3 A, 30V RDS(ON) = 59 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 92 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifie

 6.1. Size:85K  fairchild semi
 fdfs2p102.pdf pdf_icon

FDFS2P103A

October 2000 FDFS2P102 Integrated P-Channel MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P102 combines the exceptional performance of 3.3 A, 20 V. RDS(ON) = 0.125 @ VGS = 10 V Fairchild's high cell density MOSFET with a very low forward RDS(ON) = 0.200 @ VGS = 4.5 V. voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. VF

 6.2. Size:88K  fairchild semi
 fdfs2p106a.pdf pdf_icon

FDFS2P103A

June 2001 FDFS2P106A Integrated 60V P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features The FDFS2P106A combines the exceptional 3.0 A, 60V RDS(ON) = 110 m @ VGS = 10 V performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET RDS(ON) = 140 m @ VGS = 4.5 V technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDFMA2P859T, FDFMA3N109, FDFME2P823ZT, FDFME3N311ZT, FDFMJ2P023Z, FDFS2P102, FDFS2P102A, FDFS2P103, STP80NF70, FDFS2P106A, FDFS2P753AZ, FDFS2P753Z, FDFS6N303, FDFS6N548, FDFS6N754, FDG313ND87Z, FDG329N