IRFPC60LC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFPC60LC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для IRFPC60LC
IRFPC60LC Datasheet (PDF)
irfpc60lcpbf.pdf

PD - 94878IRFPC60LCPbF Lead-Free12/9/03Document Number: 91244 www.vishay.com1IRFPC60LCPbFDocument Number: 91244 www.vishay.com2IRFPC60LCPbFDocument Number: 91244 www.vishay.com3IRFPC60LCPbFDocument Number: 91244 www.vishay.com4IRFPC60LCPbFDocument Number: 91244 www.vishay.com5IRFPC60LCPbFDocument Number: 91244 www.vishay.com6IRFPC60LCPbFDocum
irfpc60lc.pdf

PD - 9.1234IRFPC60LCHEXFET Power MOSFETUltra Low Gate ChargeReduced Gate Drive RequirementEnhanced 30V Vgs Rating VDSS = 600VReduced Ciss, Coss, CrssIsolated Central Mounting HoleRDS(on) = 0.40Dynamic dv/dt RatedRepetitive Avalanche RatedID = 16ADescriptionThis new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantlylower gate charge over conventional
irfpc60lc sihfpc60lc.pdf

IRFPC60LC, SiHFPC60LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 600Available Reduced Gate Drive RequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 120 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 29 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 48 Repetitive
irfpc60lc.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFPC60LCFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 0.4 @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET
Другие MOSFET... IRFP9243 , IRFPC30 , IRFPC40 , IRFPC48 , IRFPC50 , IRFPC50A , IRFPC50LC , IRFPC60 , AON7403 , IRFPE30 , IRFPE40 , IRFPE50 , IRFPF30 , IRFPF40 , IRFPF50 , IRFPG30 , IRFPG40 .
History: AP72T02GH | GP1M023A050N | BL7N65A-U | STU336S | STL90N3LLH6 | AK12N65S | 2SK664
History: AP72T02GH | GP1M023A050N | BL7N65A-U | STU336S | STL90N3LLH6 | AK12N65S | 2SK664



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733