Справочник MOSFET. FDS4070N7

 

FDS4070N7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS4070N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для FDS4070N7

 

 

FDS4070N7 Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDS2170N3 , FDS2170N7 , FDS3170N7 , FDS3612 , FDS3670 , FDS3680 , FDS3682 , FDS4070N3 , MMIS60R580P , FDS4072N3 , FDS4072N7 , FDS4080N3 , FDS4080N7 , FDS4410A , FDS4770 , FDS4780 , FDS5170N7 .