Справочник MOSFET. FDS4770

 

FDS4770 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS4770
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS4770

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4770 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  fairchild semi
 fds4770.pdf pdf_icon

FDS4770

May 2004FDS477040V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 13.2 A, 40 V. RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. It has been optimized forlow gate charge, low RDS(ON) and fas

 9.1. Size:330K  fairchild semi
 fds4780.pdf pdf_icon

FDS4770

March 2003 FDS4780 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge (30 nC) switching PWM controllers. It has been optimized for low gate char

Другие MOSFET... FDS3682 , FDS4070N3 , FDS4070N7 , FDS4072N3 , FDS4072N7 , FDS4080N3 , FDS4080N7 , FDS4410A , NCEP15T14 , FDS4780 , FDS5170N7 , FDS5682 , FDS5692Z , FDS6064N3 , FDS6064N7 , FDS6162N3 , FDS6162N7 .

History: SM9992DSQG | AOI514 | RJK5002DPD | P3606NEA | IXFR80N15Q | GSM8483 | HGP082N10M

 

 
Back to Top

 


 
.