FDS4770 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS4770
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 47 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDS4770 Datasheet (PDF)
fds4770.pdf
May 2004FDS477040V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 13.2 A, 40 V. RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. It has been optimized forlow gate charge, low RDS(ON) and fas
fds4780.pdf
March 2003 FDS4780 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge (30 nC) switching PWM controllers. It has been optimized for low gate char
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
