Справочник MOSFET. 2N6661JANTXV

 

2N6661JANTXV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N6661JANTXV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 90 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 50 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm

Тип корпуса: TO39

Аналог (замена) для 2N6661JANTXV

 

 

2N6661JANTXV Datasheet (PDF)

4.1. 2n6661 vn88afd.pdf Size:73K _vishay

2N6661JANTXV
2N6661JANTXV

2N6661/VN88AFD Vishay Siliconix N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 2N6661 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.9 VN88AFD 80 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.29 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS D Low Threshold: 1.6 V D Low-Voltage Oper

4.2. 2n6661-2.pdf Size:149K _vishay

2N6661JANTXV
2N6661JANTXV

New Product 2N6661-2 Vishay Siliconix N-Channel 90-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low On-Resistance: 3.6 ? Part VDS min. (V) RDS(on) max. (?) VGS(th) (V) ID (A) Low Threshold: 1.6 V Number Low Input Capacitance: 35 pF 4 at VGS = 10 V 2N6661-2 90 0.8 to 2 0.86 Fast Switching Speed: 6 ns Low Input and Output Leakage BENEFITS TO-205AD Low Offset Voltage

 4.3. 2n6660 2n6661.pdf Size:21K _supertex

2N6661JANTXV
2N6661JANTXV

2N6660 2N6661 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Ordering Information Order Number / Package BVDSS /RDS(ON) ID(ON) BVDGS (max) (min) TO-39 60V 3.0? 1.5A 2N6660 90V 4.0? 1.5A 2N6661 High Reliability Devices Advanced DMOS Technology See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Flows and Ordering Information.

4.4. 2n6661.pdf Size:369K _supertex

2N6661JANTXV
2N6661JANTXV

Supertex inc. 2N6661 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description The Supertex 2N6661 is an enhancement-mode (normally- > Free from secondary breakdown off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure > Low power drive requirement and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing > Ease of paralleling process. This combination produces a device

Другие MOSFET... 2N6660JANTX , 2N6660JANTXV , 2N6660-LCC4 , 2N6660-SM , 2N6661 , 2N6661-220M , 2N6661JAN , 2N6661JANTX , IRFP064N , 2N6661-LCC4 , 2N6661SM , 2N6755 , 2N6756 , 2N6756JAN , 2N6756JANTX , 2N6756JANTXV , 2N6756JTX .

 

 
Back to Top

 


2N6661JANTXV
  2N6661JANTXV
  2N6661JANTXV
  2N6661JANTXV
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: SIZ710DT | SIZ704DT | SIZ702DT | SIZ342DT | SIZ340DT | SIZ300DT | SIX3439K | SISS40DN | SISS23DN | SISA18DN | SISA18ADN | SISA14DN | SISA12DN | SISA12ADN | SISA10DN |
 

 

 

 

Back to Top