Справочник MOSFET. 2N7272R1

 

2N7272R1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7272R1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 142(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 210(max) ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO205AF
 

 Аналог (замена) для 2N7272R1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7272R1 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:100K  1
 2n7272h 2n7272d 2n7272r.pdf pdf_icon

2N7272R1

 8.1. Size:45K  intersil
 jansr2n7272.pdf pdf_icon

2N7272R1

JANSR2N7272Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets Pre

 8.2. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7272R1

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604Bbe completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/604A21 June 1999PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N7271R3 , 2N7271R4 , 2N7272H , 2N7272H1 , 2N7272H2 , 2N7272H3 , 2N7272H4 , 2N7272R , IRFZ44N , 2N7272R2 , 2N7272R3 , 2N7272R4 , 2N7275D , 2N7275H , 2N7275R , 2SJ128 , 2SJ132 .

 

 
Back to Top

 


 
.