Справочник MOSFET. IRFR022

 

IRFR022 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR022
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR022 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:322K  samsung
irfr022-24-25 irfu022-24-25.pdfpdf_icon

IRFR022

 8.1. Size:285K  1
irfu024a irfr024a.pdfpdf_icon

IRFR022

 8.2. Size:178K  international rectifier
irfr024n.pdfpdf_icon

IRFR022

PD- 9.1336AIRFR/U024NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD Surface Mount (IRFR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRFU024N) Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.075G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 17A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve the lowest possi

Другие MOSFET... IRFPS37N50A , IRFPS59N60C , IRFR010 , IRFR012 , IRFR014 , IRFR014A , IRFR015 , IRFR020 , IRF540 , IRFR024 , IRFR024A , IRFR024N , IRFR025 , IRFR110 , IRFR110A , IRFR111 , IRFR120 .

History: QM3002P | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | IXTV02N250S | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.