IRFR024A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR024A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR024A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR024A даташит

 ..1. Size:285K  1
 irfu024a irfr024a.pdf pdf_icon

IRFR024A

 ..2. Size:495K  samsung
 irfr024a.pdf pdf_icon

IRFR024A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 15 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area A Lower Leakage Current 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

 7.1. Size:322K  1
 irfu020 irfu022 irfu024 irfu025 irfr020 irfr022 irfr024 irfr025.pdf pdf_icon

IRFR024A

 7.2. Size:178K  international rectifier
 irfr024n.pdf pdf_icon

IRFR024A

PD- 9.1336A IRFR/U024N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D Surface Mount (IRFR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRFU024N) Advanced Process Technology RDS(on) = 0.075 G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 17A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR010, IRFR012, IRFR014, IRFR014A, IRFR015, IRFR020, IRFR022, IRFR024, 50N06, IRFR024N, IRFR025, IRFR110, IRFR110A, IRFR111, IRFR120, IRFR1205, IRFR120A