Справочник MOSFET. IRFPE50PBF

 

IRFPE50PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFPE50PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPE50PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1575K  vishay
irfpe50pbf.pdfpdf_icon

IRFPE50PBF

IRFPE50, SiHFPE50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Complian

 7.1. Size:852K  international rectifier
irfpe50.pdfpdf_icon

IRFPE50PBF

PD - 94845IRFPE50PbF Lead-Free11/14/03Document Number: 91248 www.vishay.com1IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com2IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com3IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com4IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com5IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com6IRFPE50PbFTO-247AC Package O

 7.2. Size:1610K  vishay
irfpe50 sihfpe50.pdfpdf_icon

IRFPE50PBF

IRFPE50, SiHFPE50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Complian

 7.3. Size:1615K  infineon
irfpe50 sihfpe50.pdfpdf_icon

IRFPE50PBF

IRFPE50, SiHFPE50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Complian

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1477 | SI7913DN | IPP065N03L | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.