IRFPE50PBF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRFPE50PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRFPE50PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для IRFPE50PBF

IRFPE50PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1575K vishay
irfpe50pbf.pdf

IRFPE50, SiHFPE50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Complian

7.1. Size:852K international rectifier
irfpe50.pdf

PD - 94845IRFPE50PbF Lead-Free11/14/03Document Number: 91248 www.vishay.com1IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com2IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com3IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com4IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com5IRFPE50PbFDocument Number: 91248 www.vishay.com6IRFPE50PbFTO-247AC Package O

7.2. Size:1610K vishay
irfpe50 sihfpe50.pdf