Справочник MOSFET. IRFR2407PBF

 

IRFR2407PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFR2407PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для IRFR2407PBF

 

 

IRFR2407PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  international rectifier
 irfr2407pbf.pdf

IRFR2407PBF IRFR2407PBF

PD-95033AIRFR2407PbFIRFU2407PbF Lead-Freewww.irf.com 112/10/04IRFR/U2407PbF2 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 3IRFR/U2407PbF4 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 5IRFR/U2407PbF6 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 7IRFR/U2407PbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (TO-252AA) Part Marking Informat

 ..2. Size:381K  infineon
 irfr2407pbf irfu2407pbf.pdf

IRFR2407PBF IRFR2407PBF

PD-95033AIRFR2407PbFIRFU2407PbF Lead-Freewww.irf.com 112/10/04IRFR/U2407PbF2 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 3IRFR/U2407PbF4 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 5IRFR/U2407PbF6 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 7IRFR/U2407PbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (TO-252AA) Part Marking Informat

 6.1. Size:129K  international rectifier
 irfr2407.pdf

IRFR2407PBF IRFR2407PBF

PD -93862IRFR2407IRFU2407HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR2407) Straight Lead (IRFU2407)D Advanced Process Technology VDSS = 75V Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingRDS(on) = 0.026G Fully Avalanche RatedDescriptionID = 42A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremel

 6.2. Size:134K  infineon
 irfr2407 irfu2407.pdf

IRFR2407PBF IRFR2407PBF

PD -93862IRFR2407IRFU2407HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR2407) Straight Lead (IRFU2407)D Advanced Process Technology VDSS = 75V Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingRDS(on) = 0.026G Fully Avalanche RatedDescriptionID = 42A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremel

 6.3. Size:473K  infineon
 auirfr2407.pdf

IRFR2407PBF IRFR2407PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR2407 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS 75V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 21.8m 175C Operating Temperature max. 26m Fast Switching Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D Automotive Qualifi

 6.4. Size:241K  inchange semiconductor
 irfr2407.pdf

IRFR2407PBF IRFR2407PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR2407, IIRFR2407FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)26mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 75 VDSSV Gate-

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top