ZVN0545ASTOB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZVN0545ASTOB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.09 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для ZVN0545ASTOB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVN0545ASTOB даташит

 ..1. Size:19K  diodes
 zvn0545astob zvn0545astz.pdf pdf_icon

ZVN0545ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0545A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 450 Volts VDS * RDS(on)= 50 D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 90 mA Pulsed Drain Current IDM 600 mA Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Pt

 ..2. Size:19K  zetex
 zvn0545astoa zvn0545astob.pdf pdf_icon

ZVN0545ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0545A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 450 Volts VDS * RDS(on)= 50 D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 90 mA Pulsed Drain Current IDM 600 mA Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Pt

 6.1. Size:27K  diodes
 zvn0545a.pdf pdf_icon

ZVN0545ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0545A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 450 Volts VDS * RDS(on)= 50 D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 90 mA Pulsed Drain Current IDM 600 mA Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Pt

 7.1. Size:20K  diodes
 zvn0545gta zvn0545gtc.pdf pdf_icon

ZVN0545ASTOB

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0545G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 - DECEMBER 1995 FEATURES * 450 Volts VDS D * RDS(on)= 50 * Ease of paralleling S D PARTMARKING DETAIL ZVN0545 G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 140 mA Pulsed Drain Current IDM 600 mA Gate-Source Voltage VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR220PBF, IRFR224PBF, IRFR2307ZPBF, IRFR230BTMAM002, IRFR2405PBF, IRFR2407PBF, IRFR24N15DPBF, IRFR2905ZPBF, STF13NM60N, ZVN0545ASTZ, ZVN0545GTA, ZVN0545GTC, ZVN2106ASTOA, ZVN2106ASTOB, ZVN2106ASTZ, ZVN2106B, ZVN2106GTA