ZVNL110ASTOA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZVNL110ASTOA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-92
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ZVNL110ASTOA Datasheet (PDF)
zvnl110astoa zvnl110astob zvnl110astz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL110AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)=3* Low threshold voltageD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipati
zvnl110a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL110AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)=3* Low threshold voltageD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipati
zvnl110gta zvnl110gtc.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL110GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURESD* LOW RDS(ON) - 3PARTMARKING DETAIL - ZVNL110SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation a
zvnl110g.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL110GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURESD* LOW RDS(ON) - 3PARTMARKING DETAIL - ZVNL110SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation a
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: ITF86130SK8T | 2SK2894-01R | IRFD210 | STW7NA80 | SWJ6N90D | WML05N80M3 | 2SK2882
History: ITF86130SK8T | 2SK2894-01R | IRFD210 | STW7NA80 | SWJ6N90D | WML05N80M3 | 2SK2882



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a