ZVP0545ASTOB. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ZVP0545ASTOB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.045 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для ZVP0545ASTOB
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ZVP0545ASTOB даташит
zvp0545astoa zvp0545astob zvp0545astz.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0545A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V V I I V V
zvp0545a.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0545A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V V I I V V
zvp0545gta zvp0545gtc.pdf
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0545G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 1 MARCH 98 FEATURES * 450 Volt VDS D * RDS(on)=150 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS -450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -75 mA Pulsed Drain Current IDM -400 mA Gate Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Ptot 2W Operatin
zvp0545g.pdf
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0545G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 1 MARCH 98 FEATURES * 450 Volt VDS D * RDS(on)=150 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS -450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -75 mA Pulsed Drain Current IDM -400 mA Gate Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Ptot 2W Operatin
Другие MOSFET... ZVNL110GTC , ZVNL120ASTOA , ZVNL120ASTOB , ZVNL120ASTZ , ZVNL120C , ZVNL120GTA , ZVNL120GTC , ZVP0545ASTOA , STP80NF70 , ZVP0545ASTZ , ZVP0545GTA , ZVP0545GTC , ZVP1320FTA , ZVP1320FTC , ZVP2106AS , ZVP2106ASTOA , ZVP2106ASTOB .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent




