ZVP2110ASTZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZVP2110ASTZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZVP2110ASTZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVP2110ASTZ даташит

 ..1. Size:49K  diodes
 zvp2110astoa zvp2110astz.pdf pdf_icon

ZVP2110ASTZ

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0C ZVP2110A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=8 D G S E-Line TO92 Compatible ble ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT NIT Drain-Source Voltage VDS -100 V V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -230 mA mA Pulsed Drain Current IDM -3 A A Gate Source Voltage VGS 20 V V Power Dis

 6.1. Size:70K  diodes
 zvp2110a.pdf pdf_icon

ZVP2110ASTZ

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0C ZVP2110A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=8 D G S E-Line TO92 Compatible ble ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT NIT Drain-Source Voltage VDS -100 V V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -230 mA mA Pulsed Drain Current IDM -3 A A Gate Source Voltage VGS 20 V V Power Dis

 7.1. Size:108K  diodes
 zvp2110g.pdf pdf_icon

ZVP2110ASTZ

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD V D V 8 D V V T T V V S V 8V D T I D T I V V G V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T

 7.2. Size:86K  diodes
 zvp2110gta zvp2110gtc.pdf pdf_icon

ZVP2110ASTZ

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD V D V 8 D V V T T V V S V 8V D T I D T I V V G V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZVP2106AS, ZVP2106ASTOA, ZVP2106ASTOB, ZVP2106ASTZ, ZVP2106B, ZVP2106GTA, ZVP2106GTC, ZVP2110ASTOA, 18N50, ZVP2110GTA, ZVP2110GTC, ZVP2120ASTOA, ZVP2120ASTOB, ZVP2120ASTZ, ZVP2120GTA, ZVP2120GTC, ZVP3306ASTOA