ZXM66N03N8TA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXM66N03N8TA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXM66N03N8TA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXM66N03N8TA даташит

 ..1. Size:81K  zetex
 zxm66n03n8ta.pdf pdf_icon

ZXM66N03N8TA

 7.1. Size:78K  zetex
 zxm66n02n8ta.pdf pdf_icon

ZXM66N03N8TA

 9.1. Size:610K  diodes
 zxm66p02n8tc zxm66p02n8 zxm66p02n8ta.pdf pdf_icon

ZXM66N03N8TA

A Product Line of Diodes Incorporated ZXM66P02N8 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits High pulse current handling in linear mode V(BR)DSS RDS(on) ID Low on-resistance Fast switching speed -20V 0.025 -8.0A Low gate drive Low profile SOIC package Descripti

 9.2. Size:65K  diodes
 zxm66p03n8.pdf pdf_icon

ZXM66N03N8TA

ZXM66P03N8 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.025 ; ID=-7.9A DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. SO8 FEATURES Low on-resistanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXM64N035GTA, ZXM64N03XTA, ZXM64N03XTC, ZXM64P02XTA, ZXM64P02XTC, ZXM64P035GTA, ZXM64P03XTA, ZXM66N02N8TA, 7N65, ZXM66P02N8TA, ZXM66P02N8TC, ZXM66P03N8TA, ZXMD63C02X, ZXMN0545G4TA, ZXMN10A07FTA, ZXMN10A07FTC, ZXMN10A07ZTA