ZXMN2A02N8TA - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZXMN2A02N8TA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZXMN2A02N8TA
   Маркировка: ZXMN2A02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA Datasheet (PDF)

..1. Size:154K zetex
zxmn2a02n8ta.pdf

ZXMN2A02N820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SO8FEATURES Low on-resistance

4.1. Size:158K diodes
zxmn2a02n8.pdf

6.1. Size:247K diodes
zxmn2a02x8.pdf

ZXMN2A02X820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 7.8ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.MSOP8FEATURES Low on-resistance

6.2. Size:246K zetex
zxmn2a02x8ta.pdf