Справочник MOSFET. ZXMN2A02N8TA

 

ZXMN2A02N8TA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN2A02N8TA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для ZXMN2A02N8TA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2A02N8TA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  zetex
 zxmn2a02n8ta.pdf pdf_icon

ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SO8FEATURES Low on-resistance

 4.1. Size:158K  diodes
 zxmn2a02n8.pdf pdf_icon

ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SO8FEATURES Low on-resistance

 6.1. Size:247K  diodes
 zxmn2a02x8.pdf pdf_icon

ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02X820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 7.8ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.MSOP8FEATURES Low on-resistance

 6.2. Size:246K  zetex
 zxmn2a02x8ta.pdf pdf_icon

ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02X820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 7.8ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.MSOP8FEATURES Low on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN10B08E6TA , ZXMN10B08E6TC , ZXMN15A27KTC , ZXMN20B28KTC , ZXMN2A01E6TA , ZXMN2A01E6TC , ZXMN2A01FTA , ZXMN2A01FTC , AO4407 , ZXMN2A02X8TA , ZXMN2A02X8TC , ZXMN2A03E6TA , ZXMN2A03E6TC , ZXMN2A14FTA , ZXMN2B01FTA , ZXMN2B03E6TA , ZXMN2B14FHTA .

History: IXFV22N50PS | IXTY26P10T

 

 
Back to Top

 


 
.