ZXMN2F34FHTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZXMN2F34FHTA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.95 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZXMN2F34FHTA
ZXMN2F34FHTA Datasheet (PDF)
zxmn2f34fhta.pdf

ZXMN2F34FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 4.00.120 @ VGS= 2.5V 2.9DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplicationsS Buck/Boost DC-
zxmn2f34fh.pdf

ZXMN2F34FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 4.00.120 @ VGS= 2.5V 2.9DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplicationsS Buck/Boost DC-
zxmn2f34fh.pdf

Product specificationZXMN2F34FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 4.00.120 @ VGS= 2.5V 2.9DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplicationsS
zxmn2f34ma.pdf

ZXMN2F34MA20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322SummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 8.50.120 @ VGS= 2.5VDescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive. The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devicesFeaturesD Low
Другие MOSFET... ZXMN2A02X8TC , ZXMN2A03E6TA , ZXMN2A03E6TC , ZXMN2A14FTA , ZXMN2B01FTA , ZXMN2B03E6TA , ZXMN2B14FHTA , ZXMN2F30FHTA , STF13NM60N , ZXMN2F34MATA , ZXMN3A01E6TA , ZXMN3A01E6TC , ZXMN3A01FTA , ZXMN3A01FTC , ZXMN3A01Z , ZXMN3A02N8TA , ZXMN3A02X8TA .
History: HUFA76407D3S
History: HUFA76407D3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830