Справочник MOSFET. ZXMN4A06GTA

 

ZXMN4A06GTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMN4A06GTA
   Маркировка: 4A06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18.2 nC
   Время нарастания (tr): 4.45 ns
   Выходная емкость (Cd): 92 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для ZXMN4A06GTA

 

 

ZXMN4A06GTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  zetex
 zxmn4a06gta.pdf

ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06G40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT223 Low on-resistance F

 4.1. Size:946K  cn vbsemi
 zxmn4a06gt.pdf

ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTwww.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs600.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

 5.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf

ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06G40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT223 Low on-resistance F

 5.2. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf

ZXMN4A06GTA ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GQGreen40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top