ZXMN4A06GTA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN4A06GTA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXMN4A06GTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN4A06GTA даташит

 ..1. Size:167K  zetex
 zxmn4a06gta.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06G 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT223 Low on-resistance F

 4.1. Size:946K  cn vbsemi
 zxmn4a06gt.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GT www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET

 5.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06G 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT223 Low on-resistance F

 5.2. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GQ Green 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN3A04KTC, ZXMN3A14FTA, ZXMN3B01FTA, ZXMN3B04N8TA, ZXMN3B04N8TC, ZXMN3B14FTA, ZXMN3F30FHTA, ZXMN4A06GQ, STP65NF06, ZXMN4A06KTC, ZXMN6A07FTA, ZXMN6A07FTC, ZXMN6A07ZTA, ZXMN6A08E6Q, ZXMN6A08E6TA, ZXMN6A08E6TC, ZXMN6A08GTA