Справочник MOSFET. ZXMN6A08E6Q

 

ZXMN6A08E6Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN6A08E6Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для ZXMN6A08E6Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN6A08E6Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  diodes
 zxmn6a08e6q.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

ZXMN6A08E6Q 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

 4.1. Size:652K  diodes
 zxmn6a08e6tc zxmn6a08e6 zxmn6a08e6ta.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN6A08E660V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistanceID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Low gate drive 80m @ VGS=10V 3.5A Low threshold100V Green component and RoHS compliant (Note 1) 150m @ VGS=4.5V 2.5A Qualified to AEC-Q101 S

 4.2. Size:568K  diodes
 zxmn6a08e6.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

ZXMN6A08E6 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3

 6.1. Size:660K  diodes
 zxmn6a08k.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN6A08K60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 80m @ VGS= 10V 7.90A 60V 150m @ VGS= 4.5V 5.75A Mech

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN3B14FTA , ZXMN3F30FHTA , ZXMN4A06GQ , ZXMN4A06GTA , ZXMN4A06KTC , ZXMN6A07FTA , ZXMN6A07FTC , ZXMN6A07ZTA , IRF1405 , ZXMN6A08E6TA , ZXMN6A08E6TC , ZXMN6A08GTA , ZXMN6A08KTC , ZXMN6A09GTA , ZXMN6A09KTC , ZXMN6A11GTA , ZXMN6A11GTC .

History: STW48N60M2-4 | JCS2N60T | 2SK3403B | IXTA300N04T2 | IXTP02N50D | SDF120JDA-U | BLL6H0514-25

 

 
Back to Top

 


 
.