ZXMN6A08E6Q - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZXMN6A08E6Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZXMN6A08E6Q
   Маркировка: 6A8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 2.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 44.2 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для ZXMN6A08E6Q

ZXMN6A08E6Q Datasheet (PDF)

..1. Size:458K diodes
zxmn6a08e6q.pdf

ZXMN6A08E6Q 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

4.1. Size:652K diodes
zxmn6a08e6tc zxmn6a08e6 zxmn6a08e6ta.pdf

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN6A08E660V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistanceID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Low gate drive 80m @ VGS=10V 3.5A Low threshold100V Green component and RoHS compliant (Note 1) 150m @ VGS=4.5V 2.5A Qualified to AEC-Q101 S

4.2. Size:568K diodes
zxmn6a08e6.pdf

ZXMN6A08E6 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3

6.1. Size:660K diodes
zxmn6a08k.pdf

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN6A08K60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 80m @ VGS= 10V 7.90A 60V 150m @ VGS= 4.5V 5.75A Mech

6.2. Size:446K diodes
zxmn6a08g.pdf

ZXMN6A08G60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.080 @ VGS = 10V5.3600.150 @ VGS = 4.5V2.8DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure combining the benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resi

6.3. Size:657K diodes
zxmn6a08ktc.pdf