ZXMN6A08E6Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXMN6A08E6Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXMN6A08E6Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN6A08E6Q даташит

 ..1. Size:458K  diodes
 zxmn6a08e6q.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

ZXMN6A08E6Q 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25 C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

 4.1. Size:652K  diodes
 zxmn6a08e6tc zxmn6a08e6 zxmn6a08e6ta.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

A Product Line of Diodes Incorporated ZXMN6A08E6 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Low gate drive 80m @ VGS=10V 3.5A Low threshold 100V Green component and RoHS compliant (Note 1) 150m @ VGS=4.5V 2.5A Qualified to AEC-Q101 S

 4.2. Size:568K  diodes
 zxmn6a08e6.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

ZXMN6A08E6 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25 C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3

 6.1. Size:660K  diodes
 zxmn6a08k.pdf pdf_icon

ZXMN6A08E6Q

A Product Line of Diodes Incorporated ZXMN6A08K 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 80m @ VGS= 10V 7.90A 60V 150m @ VGS= 4.5V 5.75A Mech

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN3B14FTA, ZXMN3F30FHTA, ZXMN4A06GQ, ZXMN4A06GTA, ZXMN4A06KTC, ZXMN6A07FTA, ZXMN6A07FTC, ZXMN6A07ZTA, IRF830, ZXMN6A08E6TA, ZXMN6A08E6TC, ZXMN6A08GTA, ZXMN6A08KTC, ZXMN6A09GTA, ZXMN6A09KTC, ZXMN6A11GTA, ZXMN6A11GTC