ZXMN6A08E6TA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: ZXMN6A08E6TA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44.2 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для ZXMN6A08E6TA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ZXMN6A08E6TA даташит
zxmn6a08e6tc zxmn6a08e6 zxmn6a08e6ta.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated ZXMN6A08E6 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Low gate drive 80m @ VGS=10V 3.5A Low threshold 100V Green component and RoHS compliant (Note 1) 150m @ VGS=4.5V 2.5A Qualified to AEC-Q101 S
zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25 C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3
zxmn6a08e6q.pdf
ZXMN6A08E6Q 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25 C Low Gate Drive 80m @ VGS=10V 3.5A 60V Low Threshold 150m @ VGS=4.5V 2.5A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note
zxmn6a08k.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated ZXMN6A08K 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 80m @ VGS= 10V 7.90A 60V 150m @ VGS= 4.5V 5.75A Mech
Другие IGBT... ZXMN3F30FHTA, ZXMN4A06GQ, ZXMN4A06GTA, ZXMN4A06KTC, ZXMN6A07FTA, ZXMN6A07FTC, ZXMN6A07ZTA, ZXMN6A08E6Q, IRLB3034, ZXMN6A08E6TC, ZXMN6A08GTA, ZXMN6A08KTC, ZXMN6A09GTA, ZXMN6A09KTC, ZXMN6A11GTA, ZXMN6A11GTC, ZXMN6A11ZTA
History: HMS21N65A | ZXM64N02XTA | ZXMN3A14FTA | ZXM64N03XTA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement







