Справочник MOSFET. ZXMP10A17E6Q

 

ZXMP10A17E6Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMP10A17E6Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для ZXMP10A17E6Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMP10A17E6Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:639K  diodes
 zxmp10a17e6q.pdf pdf_icon

ZXMP10A17E6Q

ZXMP10A17E6Q 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Gate Drive 350m @ VGS= -10V -1.6A Low Input Capacitance -100V 450m @ VGS= -6.0V -1.4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

 3.1. Size:699K  diodes
 zxmp10a17e6 zxmp10a17e6ta.pdf pdf_icon

ZXMP10A17E6Q

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMP10A17E6100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Fast switching speed ID V(BR)DSS RDS(on) Low gate drive TA = 25C Low input capacitance 350m @ VGS= -10V -1.6 Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability -1

 3.2. Size:600K  diodes
 zxmp10a17e6.pdf pdf_icon

ZXMP10A17E6Q

ZXMP10A17E6 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C Low Gate Drive 350m @ VGS= -10V -1.6A Low Input Capacitance -100V 450m @ VGS= -6V -1.4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Q

 5.1. Size:636K  diodes
 zxmp10a17g.pdf pdf_icon

ZXMP10A17E6Q

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMP10A17G100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Fast switching speed ID V(BR)DSS RDS(on) Low gate drive TA = 25C Low input capacitance 350m @ VGS= -10V -2.4 Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability -10

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN6A11ZTA , ZXMN6A25GTA , ZXMN6A25KTC , ZXMN7A11GTA , ZXMN7A11KTC , ZXMNS3BM832TA , ZXMP10A13FTA , ZXMP10A16KTC , IRF740 , ZXMP10A17E6TA , ZXMP10A18GTA , ZXMP10A18KTC , ZXMP2120E5TA , ZXMP2120FFTA , ZXMP2120G4TA , ZXMP3A13FTA , ZXMP3A16GTA .

History: BL20N60-W | HGP115N15S | 2SJ294 | 7788 | HAT2256R | AP70T03GJB | IXFN38N80Q2

 

 
Back to Top

 


 
.