ZXMP6A17GQ - аналоги и даташиты транзистора

 

ZXMP6A17GQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ZXMP6A17GQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для ZXMP6A17GQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMP6A17GQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  diodes
 zxmp6a17gq.pdf pdf_icon

ZXMP6A17GQ

ZXMP6A17GQ Green60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C Low Gate Drive Low Input Capacitance 125m @ VGS= -10V -4.3A -60V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 190m @ VGS= -4.5V -3.5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Quali

 5.1. Size:635K  diodes
 zxmp6a17g zxmp6a17gta.pdf pdf_icon

ZXMP6A17GQ

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMP6A17G60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Fast switching speed ID V(BR)DSS RDS(on) Low gate drive TA = 25C Low input capacitance 125m @ VGS= -10V -4.3A Green component and RoHS compliant (Note 1) -60V Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 190m

 5.2. Size:467K  diodes
 zxmp6a17g.pdf pdf_icon

ZXMP6A17GQ

ZXMP6A17G Green60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Fast Switching Speed BVDSS RDS(on) TA = +25C Low Gate Drive Low Input Capacitance 125m @ VGS= -10V -4.3A -60V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 190m @ VGS= -4.5V -3.5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified

 6.1. Size:665K  diodes
 zxmp6a17e6 zxmp6a17e6ta.pdf pdf_icon

ZXMP6A17GQ

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMP6A17E660V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistanceID Max Fast switching speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25C Low threshold(Note 5) Low gate drive Low input capacitance 125m @ VGS = -10V -3.0 A Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) -60V 190m @

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMP4A16KTC , ZXMP4A57E6TA , ZXMP6A13FQ , ZXMP6A13FTA , ZXMP6A13GTA , ZXMP6A16KTC , ZXMP6A17E6Q , ZXMP6A17E6TA , IRFB4115 , ZXMP6A17GTA , ZXMP6A17KTC , ZXMP6A17N8TC , ZXMP6A18KTC , ZXMP7A17GQ , ZXMP7A17GTA , ZXMP7A17KTC , ZXMS6002GQ .

History: CMT04N60XN252 | JCS4N60FB | BLP03N10-F | STLT19FI | BL4N80A-P | 2N7002EM3T5G | 2SK1850

 

 
Back to Top

 


 
.