SI1013CX - описание и поиск аналогов

 

SI1013CX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1013CX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm

Тип корпуса: SC-89

Аналог (замена) для SI1013CX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1013CX даташит

 ..1. Size:171K  vishay
 si1013cx.pdf pdf_icon

SI1013CX

Si1013CX Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.760 at VGS = - 4.5 V - 0.45 100 % Rg Tested 1.040 at VGS = - 2.5 V - 0.40 1 nC - 20 Typical ESD protection 1000 V (HBM) 1.5 at VGS = - 1.8 V - 1.5 Fast Switchin

 8.1. Size:217K  vishay
 si1013r si1013x.pdf pdf_icon

SI1013CX

 8.2. Size:192K  vishay
 si1013r-x.pdf pdf_icon

SI1013CX

 8.3. Size:350K  cn tech public
 si1013r.pdf pdf_icon

SI1013CX

WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW www.techpublic.com.tw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMS6006DGQ , ZXMS6006DT8Q , ZXMS6006SGQ , SI1002R , SI1011X , SI1012CR , SI1012R , SI1012X , IRF1010E , SI1013R , SI1013X , SI1016CX , SI1021R , SI1022R , SI1023CX , SI1023X , SI1025X .

History: STP7NA40FI | 2SK117

 

 

 

 

↑ Back to Top
.